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深圳市广辉电子有限公司
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产品信息
FDD86102 MOSFET N-CH 100V 8A DPAK
| 描述 ： |
MOSFET N-CH 100V 8A DPAK |
| 标准包装 ： | 2,500 |
| 系列 ： | PowerTrench® |
| FET 型 ： |
MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 ： |
逻辑电平门 |
| 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C ： |
24 毫欧 @ 8A, 10V |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： |
100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： |
8A |
| Id 时的 Vgs(th)（） ： |
4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： |
19nC @ 10V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： |
1035pF @ 50V |
| 功率 - ： |
3.1W |
| 安装类型 ： |
表面贴装 |
| 封装/外壳 ： |
TO-252-3, DPak (2 引线+接片), SC-63 |
| 供应商设备封装 ： |
D-Pak |
| 包装 ： |
带卷 (TR) |
