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深圳市广辉电子有限公司
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产品信息
MOSFET N-CH 600V 20A TO-220 FQP20N60
| 描述 ： |
MOSFET N-CH 600V 20A TO-220 |
| 标准包装 ： | 50 |
| 系列 ： | QFET™ |
| FET 型 ： |
MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 ： |
逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： |
600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： |
20A |
| 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C ： |
45 毫欧 @ 10.5A, 10V |
| Id 时的 Vgs(th)（） ： |
2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： |
87nC @ 0-10V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： |
2400pF @ 25V |
| 功率 - ： |
208W |
| 安装类型 ： |
通孔 |
| 封装/外壳 ： |
TO-220-3 |
| 供应商设备封装 ： |
TO-220 |
| 包装 ： |
管件 |
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-220 SPP20N60C3
| 产品糸列 ： |
CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters |
| 产品目录绘图 ： |
MOSFET TO-220(AB), TO-220-3 |
| 标准包装 ： | 500 |
| 系列 ： | CoolMOS™ |
| FET 型 ： |
MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 ： |
标准型 |
| 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C ： |
190 毫欧 @ 13.1A, 10V |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： |
650V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： |
20.7A |
| Id 时的 Vgs(th)（） ： |
3.9V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： |
114nC @ 10V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： |
2400pF @ 25V |
| 功率 - ： |
208W |
| 安装类型 ： |
通孔 |
| 封装/外壳 ： |
TO-220-3 |
| 供应商设备封装 ： |
PG-TO220-3 |
| 包装 ： |
管件 |