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产品说明：
MOSFET PWR N-CH DL 6A 20V 8SOIC
描 述 ：
标准包装 ：
2500
系列 ：
DUAL N-CH MOS
FET 型 ：
2 个 N 沟道（双）
FET 特点 ：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) ：
20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ：
3.92A
开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C ：
35 毫欧 @ 6A, 4.5V
Id 时的 Vgs(th)（） ：
1.2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs ：
20nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：
1100pF @ 16V
功率 - ：
730mW
安装类型 ：
表面贴装
封装/外壳 ：
8-SOIC（0.154", 3.90mm 宽）
供应商设备封装 ：
8-SOICN
包装 ：
剪切带 (CT)
D6N02: Power MOSFET 20V 6A 35 mOhm Dual N-Channel SO-8
特性：
Ultra Low RDS(on) 超低 RDS(on)
Higher Efficiency Extending Battery Life 更高的效率延长电池寿命
Logic Level Gate Drive 逻辑电平的栅极驱动
Miniature Dual SO-8 Surface Mount Package 贴片封装 SOP-8
Diode Exhibits High Speed, Soft Recovery
Avalanche Energy Specified 雪崩能源指定
Pb-Free Package is Available 无铅
应用：
DC-DC Converters
Low Voltage Motor Control
Power Management in Portable and Battery-Powered Products, i.e.: Computers, Printers, Cellular and Cordless Telephones and PCMCIA Cards
