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深圳市广辉电子有限公司
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产品信息
产品说明：
| 描 述 ： |
MOSFET PWR N-CH DL 6A 20V 8SOIC |
| 标准包装 ： | 2500 |
| 系列 ： | DUAL N-CH MOS |
| FET 型 ： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点 ： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： |
20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 3.92A |
| 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C ： |
35 毫欧 @ 6A, 4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（） ： |
1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： |
20nC @ 4.5V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： |
1100pF @ 16V |
| 功率 - ： |
730mW |
| 安装类型 ： |
表面贴装 |
| 封装/外壳 ： |
8-SOIC（0.154", 3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装 ： |
8-SOICN |
| 包装 ： |
剪切带 (CT) |
MMDF6N02HD: Power MOSFET 20V 6A 35 mOhm Dual N-Channel SO-8
特性：
Ultra Low RDS(on)
Higher Efficiency Extending Battery Life
Logic Level Gate Drive
Miniature Dual SO-8 Surface Mount Package
Diode Exhibits High Speed, Soft Recovery
Avalanche Energy Specified
SO-8 Mounting Information Provided
Pb-Free Package is Available
应用：
DC-DC Converters
Low Voltage Motor Control
Power Management in Portable and Battery-Powered Products, i.e.: Computers, Printers, Cellular and Cordless Telephones and PCMCIA Cards
