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深圳市广辉电子有限公司
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产品信息
硅PNP功率晶体管TIP32C
TRANS PNP EPITAX -3A-100V TO-220
| 晶体管类型 ： | PNP |
| 电流 - 集电极 (Ic)（） ： | 3A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（） ： | 100V |
| Ib、Ic条件下的Vce饱和度（） ： | 1.2V @ 375mA, 3A |
| 电流 - 集电极截止（） ： | 200µA |
| 在某 Ic、Vce 时的直流电流增益 (hFE) ： | 10 @ 3A, 4V |
| 功率 - ： | 2W |
| 频率 - 转换 ： | 3MHz |
| 安装类型 ： | 通孔 |
| 封装/外壳 ： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装 ： | TO-220 |
| 包装 ： | 散装 |
|
参数符号 |
符 号 说 明 |
值 |
典型值 |
值 |
单 位 |
测 试 条 件 |
|
BVCEO(sus) ICEO
ICES IEBO hFE
VCE(sat) VBE(on) fT |
集电极—发射极维持电压*
集电极—发射极截止电流集电极—发射极截止电流发射极—基极截止电流直流电流增益*
集电极—发射极饱和电压* 基极—发射极导通电压* 特征频率 |
100
25
10
3.0 |
|
0.3
200
1
50
1.2
1.8 |
V
mA
µA
mA
V V
MHz |
IC=30mA，IB=0
VCE=60V，IB=0
VCE=100V，VEB=0, VEB=5V，IC=0
VCE=4V，IC=1A VCE=4V，IC=3A IC=3A，IB=375mA VCE=4V，IC=3A VCE=10V，IC=0.5A，f=1MHz |
*脉冲测试：脉宽≤300µs，占空比≤2%。