深圳市广辉电子有限公司

FDM47-06KC5 - CoolMOS Pow er MOSFET with HiPerDyn FRED Buck and Boost Topologies - IXYS Corporation

Features
• Silicon chip on Direct-Copper-Bond
substrate
- high power dissipation
- isolated mounting surface
- 2500 V electrical isolation
- low drain to tab capacitance (< 40 pF)
• Fast CoolMOS™ 1) power MOSFET 4th
generation
- high blocking capability
- lowest resistance
- avalanche rated for unclamped
inductive switching (UIS)
- low thermal resistance
due to reduced chip thickness
• Enhanced total power density
• HiPerDyn™ FRED
- consisting of series connected diodes
- enhanced dynamic behaviour for
high frequency operation
Applications
• Switched mode power supplies
(SMPS)
• Uninterruptible power supplies (UPS)
• Power factor correction (PFC)
Advantages
• Easy assembly:
no screws or isolation foils required
• Space savings
• High power density
• High reliability

特点
•硅芯片上直接键合铜技术(Direct Copper Bond，简称DCB)，

基板
 - 高功率耗散
 - 孤立的安装面
 - 2500伏的电气隔离
 - 低漏标签电容（<40 pF的）
•快速的CoolMOS™1）功率MOSFET4
代
 - 高阻断能力
 - 电阻
 - 雪崩额定为松开
感应开关（UIS）
 - 低热阻
由于芯片厚度减少
•增强的总功率密度
•HiPerDyn™李华明
 - 系列的组成连接二极管
 - 增强的动态行为
高频率运行
应用
•开关模式电源
（SMPS）
•不间断电源（UPS）
•功率因数校正（PFC）
优点
•易于装配：
无螺丝或隔离箔所需
•节省空间
•高功率密度
•高可靠性