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深圳市广辉电子有限公司
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产品信息
60V,3A P-CH MOS场效应管J182 2SJ182(S)TO-252 2SJ182(L) TO-251
Silicon P-Channel MOS FET
Application
High speed power switching
Features
• Low on-resistance
• High speed switching
• Low drive current
• 4 V gate drive device
Can be driven from 5 V source
• Suitable for motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive
封装：
参数：
