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深圳市广辉电子有限公司
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产品信息
描述：
| FET 型 ： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 ： | 标准型 |
| 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 300 毫欧 @ 7.2A, 10V |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 12A |
| Id 时的 Vgs(th)（） ： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 38nC @ 10V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 860pF @ 25V |
| 功率 - ： | 88W |
| 安装类型 ： | 通孔 |
| 封装/外壳 ： | TO-220-3 |
| 包装 ： | 管件 |