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深圳市广辉电子有限公司
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产品信息
供应500V,13A N-CH MOS管FQPF13N50C TO-220F
FQP13N50/FQPF13N50
500V N-Channel MOSFET
General Description
These N-Channel enhancement mode power field effect
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,
planar stripe, DMOS technology.
This advanced technology has been especially tailored to
minimize on-state resistance, provide superior switching
performance, and withstand high energy pulse in the
avalanche and commutation mode. These devices are well
suited for high efficiency switch mode power supply, power
factor correction, electronic lamp ballast based on half
bridge.
Features
• 12.5A, 500V, RDS(on) = 0.43Ω @VGS = 10 V
• Low gate charge ( typical 45 nC)
• Low Crss ( typical 25 pF)
• Fast switching
• 100% avalanche tested
• Improved dv/dt capability