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深圳市广辉电子有限公司
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产品信息
HFP75N75
75V N-Channel MOSFET
FEATURES
Originative New Design
Superior Avalanche Rugged Technology
Robust Gate Oxide Technology
Very Low Intrinsic Capacitances
Excellent Switching Characteristics
Unrivalled Gate Charge : 100 nC (Typ.)
Extended Safe Operating Area
Lower RDS(ON) : 0.009 Ω (Typ.) @VGS=10V
BVDSS = 75 V
RDS(on) typ = 9 mΩ
ID = 80 A
具體資料如下：
STP65NF06 極限電流：65A 極限耐壓：60V
STP75NF75 極限電流：80A 極限耐壓：75V
STP80NF10 極限電流：80A 極限耐壓：100V
STP60NF06 極限電流：60A 極限耐壓：60V
STP55NF06 極限電流：50A 極限耐壓：60V
STP40NF10 極限電流：50A 極限耐壓：100V
主要用於：開關電源，UPS電源，太陽能電源，機箱電源，逆變器，電動車控制器，充電器，電力電源，照明電源，軍工電源，工控電源，定制電源，電焊機，機電設備。