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深圳市广辉电子有限公司
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产品信息
供应场效应管 AOB414 B414 100V 51A N沟道 MOS TO263封装
| 参数 | 数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 单 |
| AOB414 |
场效应管 AOB414 100V 51A N沟道 MOS TO263封装 |
| 产品目录绘图 |
 |
| 标准包装 | 800 |
| 系列 | SDMOS™ |
| FET 型 |
MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 |
标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss) |
100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C |
51A |
| 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C |
25 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（） |
4V @ 250μA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs |
34nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds |
2200pF @ 50V |
| 功率 - |
150W |
| 安装类型 |
表面贴装 |
| 封装/外壳 |
TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装 |
TO-263（D2Pak） |
| 包装 |
带卷 (TR) |
| 其它名称 | 785-1209-2 |