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深圳市广辉电子有限公司
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产品信息
供应场效应管 AOB414 B414 100V 51A N沟道 MOS TO263封装
参数 | 数值 |
---|---|
产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 单 |
AOB414 |
场效应管 AOB414 100V 51A N沟道 MOS TO263封装 |
产品目录绘图 |
|
标准包装 | 800 |
系列 | SDMOS™ |
FET 型 |
MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 |
标准 |
漏极至源极电压(Vdss) |
100V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C |
51A |
开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C |
25 毫欧 @ 20A,10V |
Id 时的 Vgs(th)() |
4V @ 250μA |
闸电荷(Qg) @ Vgs |
34nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds |
2200pF @ 50V |
功率 - |
150W |
安装类型 |
表面贴装 |
封装/外壳 |
TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
供应商设备封装 |
TO-263(D2Pak) |
包装 |
带卷 (TR) |
其它名称 | 785-1209-2 |