深圳市广辉电子有限公司

产品特性]

• 两单元（单桥）IGBT输出
• 内置1200V SPT+ IGBT芯片
• 低损耗，正温度系数

[典型应用]

• 逆变电焊机逆变
• UPS
• 变频器
• 马达控制
• 加热
• 斩波调速等

[产品概述]
此功率模块（IGBT PM）是一种体积小，集成度高、体积小、更易使用的功率器件，适用于马达控制、逆变、UPS等。内置双管（半桥）IGBT逆变单元电路，栅极与外壳一体化塑封，控制栅极电源+15VDC，采用新型散热绝缘材料双DCB（Direct Copper Bonding）作绝缘基片，增强抗应力能力。
[外形尺寸]

[使用注意事项]

1.栅极驱动
a) 栅极驱动电压越高，饱和压降和导通损耗越低，但会降低短路承受能力，建议栅极驱动电压值15V×（1±10%）。
b) IGBT关断过程，栅极加负偏置电压能提高抗干扰能力，降低关断损耗，建议负偏置范围-5V~10V。
c) 栅极电阻大小不影响IGBT输出压降，但会影响开关时间，电阻越大开关时间越长，相应损耗也大，反之则减小，但栅极电阻过小，容易引起震荡。
d) 连接栅极的控制线尽量短，建议使用双绞线，是用PCB板直接焊接，尽可能消除感应噪声的影响。
e) 栅极不能悬空，一旦悬空，CE极之间不能加电压，否则会导致模块损坏，使用中建议在栅极和发射极之间并连一只10K的电阻。
2．安装
a) 防静电：
IGBT模块的门极对静电等非常敏感。人体等所携带的静电以及栅极-发射极间施加过高电压（±20V以上），都可能导致IGBT因栅极击穿而损坏。因此在使用产品是遵守以下所述的注意点：
、使用模块时，先让人体和衣服上所带的静电通过高电阻（1MΩ左右）接地放电后，再在接地的导电性垫板上进行操作。
第二、使用IGBT模块时，要拿封装主体，不要直接触碰端子（特别是控制端子）部。
第三、对IGBT端子进行锡焊作业的时候，为了避免由烙铁，烙铁焊台的泄漏产生静电外加到IGBT上，烙铁前端等要用十分低的电阻接地
第四、IGBT模块是在用IC泡沫材料等导电性材料对控制端子采取防静电对策的状态下出库的，这种导电性材料在产品进行电路连接后才能去除
b) 导热硅脂：
模块安装时，模块底板和散热器的接触面应均匀的涂上0.1mm左右厚的导热硅脂，导热硅脂不是越多越好，而是在保证安装后，接触面无空洞的前提下，越少越好。
c) 安装扭矩：
    安装扭矩过小，模块与散热器会发生松动，使得接触热阻过大，导致产品散热不良而失效，但扭矩过大会损坏产品，故请按推荐值安装。安装方法，应按预拧紧-拧紧的步骤进行安装，预拧紧的扭矩为扭矩的1/3左右，拧紧顺序按先中间后两边和对角线原则。
d) 夹紧方式：
IGBT模块安装时，请以推荐的夹紧力矩范围予以夹紧。推荐的力矩在说明书中有记载，请另行参考。如果该力矩不足，可能使接触热阻变大，或在动作中产生松动。反之，如果力矩多大，可能引起外壳破坏。次预紧时用的力矩为规程1/3的力矩；第二次才上到规程力矩.
e) 安装方向：
将IGBT模块安装在由挤压模制作的散热器上时，建议IGBT模块的安装与散热器挤压方向平行。这是为了减小散热器变形的影响。

3. 贮存、搬运
a) IGBT模块的保管存放场所以温度为5~35℃，湿度为45~75%为适宜。
b) 避开产生腐蚀性气体的场所和尘埃多的场所。
c) 在温度急剧变化的场所，半导体电子设备的表面容易结露，因此请避开这类场所，将其保管在温度变化小的地方。
d) 保管时，请不要在IGBT模块上施加外力或负荷。特别是在叠放时会不经意中施加负荷。另外，重物请不要放在模块上。
e) 模块的外部端子请在未经加工的状态下保管。
f) 临时放置模块时，请选择不易产生静电的容器。
g) 产品搬运时请不要受到冲击或使其跌落。
h) 多个IGBT模块装箱搬运时，为了不使接触电极面等碰伤，请在模块间用柔软的衬垫互相间隔。
4. 其它注意事项
a) 请在模块在仅使用FWD而不使用IGBT时，不使用的IGBT的GE间请加-5V以上的反偏压。反偏压不足时，IGBT可能由于FWD反向恢复时的dv/dt引起误触发而损坏。
b) 模块的端子部位测定驱动电压，并确认外加了既定的电压。
c) 请通过产品的端子测定开通、关断时的脉冲电压等。
d) 使用时，请避开产生腐蚀性气体的场所。
e) 请在产品的额定值范围内使用，一旦超出额定值，可能损坏产品。
f) 万一发生意想不到的事故而损坏元件，请务必在电源和模块之间安装保险丝或者自动断路器，防止次生性破坏。
g) 请在功率周期寿命内使用本品。