深圳市广辉电子有限公司

17年

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供应SKM75GB128D功率模块IGBT 75A/1200V/2单元
供应SKM75GB128D功率模块IGBT 75A/1200V/2单元
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供应SKM75GB128D功率模块IGBT 75A/1200V/2单元

型号/规格:

SKM75GB128D

品牌/商标:

SEMIKRON(西门康)

环保类别:

普通型

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产品信息

[产品特性]

  • 两单元(单桥)IGBT输出
  • 内置1200V SPT+ IGBT芯片
  • 低损耗,正温度系数

[典型应用]

  • 逆变电焊机逆变
  • UPS
  • 变频器
  • 马达控制
  • 加热
  • 斩波调速等

[产品概述]
XG04功率模块(IGBT PM)是一种体积小,集成度高、体积小、更易使用的功率器件,适用于马达控制、逆变、UPS等。内置双管(半桥)IGBT逆变单元电路,栅极与外壳一体化塑封,控制栅极电源+15VDC,采用新型散热绝缘材料双DCB(Direct Copper Bonding)作绝缘基片,增强抗应力能力。
[外形尺寸]
 

[安装孔位]


[极限参数]

 

符号

   

   

额定值

单位

VCE

集电极-发射极耐电压

GE极短路

1200

V

VGE

栅极-发射极耐电压

CE极短路

±20

V

IC

集电极电流

TC=80

75

A

ICP

集电极电流(峰值)

Tj=125

150

A

Tpsc

短路保护时间

Vcc=900V,VCEM1200V

VGE15V,TVj125

10

μs

Viso

引出片与底板间介质耐压

50Hz/60Hz AC 1min.

2500

V

Tj

结温

-

-40+150

Tstg

贮存温度

-

-40+125

 [电气参数]

 

 

符号

   

   

典型值

单位

ICES

集电极-发射极漏电流

VGE=0VVCE=VCES

-

-

1.0

mA

IGES

栅极-发射极漏电流

VGE=±20VVCE=0V

-

-

0.2

μA

VGE(th)

栅极-发射极阈值电压

Ic=3mA, VCE=VGE,TVj=25

5

6.2

7.0

V

VCE(sat)

-射极饱和压降

Ic=75A,VCE=VGE,TVj=25

-

1.9

-

V

ton

tr

toff

tf

开通延迟时间

开通上升时间

关断延迟时间

关断下降时间

Vcc=600V,Ic=75A

VGE1=VGE2=15V,

RG=15Ω,L=60nH

Inductive load

-

160

65

500

70

-

ns

VEC

二极管正向压降

Ic=-60A,TVj=125

-

2.3

-

V

trr

二极管反向恢复时间

Ic=-1A,

di/dt=-300A/μs

-

40

-

ns

Eon

导通损耗

 

cc=600V,Ic=75A

VGE1=VGE2=15V,

RG=15Ω,L=60nH

Inductive load

TVj=25

-

7.5

-

mJ

TVj=125

-

10.3

-

mJ

Eoff

关断损耗

cc=600V,Ic=75A

VGE1=VGE2=15V,

RG=15Ω,L=60nH

Inductive load

TVj=25

-

4.9

-

mJ

TVj=125

-

7.8

-

mJ

ISC

电路电流

tpsc10us,VGE=15V, TVj=125,Vcc=900V,VCEM1200V

-

420

-

A

[热阻]

 

 

符号

   

   

典型

单位

Rth(j-c)

管芯至底板

热阻

IGBT单元

0.31

/W

Rth(j-c)

FRED单元

0.61

Rth(c-t)

接触热阻

底板到散热器,涂导热硅脂

0.08

/W

[机械特性]

 

 

符号

   

   

典型

单位

安装力矩

安装散热部位,螺栓:M6

3

-

5

N·m

安装力矩

安装输出端子部位,螺栓:M5

2.5

-

5

N·m

重量

180

g

[实物图片]

[使用注意事项]

1.栅极驱动
a) 栅极驱动电压越高,饱和压降和导通损耗越低,但会降低短路承受能力,建议栅极驱动电压值15V×(1±10%)。
b) IGBT关断过程,栅极加负偏置电压能提高抗干扰能力,降低关断损耗,建议负偏置范围-5V~10V。
c) 栅极电阻大小不影响IGBT输出压降,但会影响开关时间,电阻越大开关时间越长,相应损耗也大,反之则减小,但栅极电阻过小,容易引起震荡。
d) 连接栅极的控制线尽量短,建议使用双绞线,是用PCB板直接焊接,尽可能消除感应噪声的影响。
e) 栅极不能悬空,一旦悬空,CE极之间不能加电压,否则会导致模块损坏,使用中建议在栅极和发射极之间并连一只10K的电阻。
2.安装
a) 防静电:
IGBT模块的门极对静电等非常敏感。人体等所携带的静电以及栅极-发射极间施加过高电压(±20V以上),都可能导致IGBT因栅极击穿而损坏。因此在使用产品是遵守以下所述的注意点:
、使用模块时,先让人体和衣服上所带的静电通过高电阻(1MΩ左右)接地放电后,再在接地的导电性垫板上进行操作。
第二、使用IGBT模块时,要拿封装主体,不要直接触碰端子(特别是控制端子)部。
第三、对IGBT端子进行锡焊作业的时候,为了避免由烙铁,烙铁焊台的泄漏产生静电外加到IGBT上,烙铁前端等要用十分低的电阻接地
第四、IGBT模块是在用IC泡沫材料等导电性材料对控制端子采取防静电对策的状态下出库的,这种导电性材料在产品进行电路连接后才能去除
b) 导热硅脂:
模块安装时,模块底板和散热器的接触面应均匀的涂上0.1mm左右厚的导热硅脂,导热硅脂不是越多越好,而是在保证安装后,接触面无空洞的前提下,越少越好。
c) 安装扭矩:
    安装扭矩过小,模块与散热器会发生松动,使得接触热阻过大,导致产品散热不良而失效,但扭矩过大会损坏产品,故请按推荐值安装。安装方法,应按预拧紧-拧紧的步骤进行安装,预拧紧的扭矩为扭矩的1/3左右,拧紧顺序按先中间后两边和对角线原则。
d) 夹紧方式:
IGBT模块安装时,请以推荐的夹紧力矩范围予以夹紧。推荐的力矩在说明书中有记载,请另行参考。如果该力矩不足,可能使接触热阻变大,或在动作中产生松动。反之,如果力矩多大,可能引起外壳破坏。次预紧时用的力矩为规程1/3的力矩;第二次才上到规程力矩.
e) 安装方向:
将IGBT模块安装在由挤压模制作的散热器上时,建议IGBT模块的安装与散热器挤压方向平行。这是为了减小散热器变形的影响。


3. 贮存、搬运
a) IGBT模块的保管存放场所以温度为5~35℃,湿度为45~75%为适宜。
b) 避开产生腐蚀性气体的场所和尘埃多的场所。
c) 在温度急剧变化的场所,半导体电子设备的表面容易结露,因此请避开这类场所,将其保管在温度变化小的地方。
d) 保管时,请不要在IGBT模块上施加外力或负荷。特别是在叠放时会不经意中施加负荷。另外,重物请不要放在模块上。
e) 模块的外部端子请在未经加工的状态下保管。
f) 临时放置模块时,请选择不易产生静电的容器。
g) 产品搬运时请不要受到冲击或使其跌落。
h) 多个IGBT模块装箱搬运时,为了不使接触电极面等碰伤,请在模块间用柔软的衬垫互相间隔。
4. 其它注意事项
a) 请在模块在仅使用FWD而不使用IGBT时,不使用的IGBT的GE间请加-5V以上的反偏压。反偏压不足时,IGBT可能由于FWD反向恢复时的dv/dt引起误触发而损坏。
b) 模块的端子部位测定驱动电压,并确认外加了既定的电压。
c) 请通过产品的端子测定开通、关断时的脉冲电压等。
d) 使用时,请避开产生腐蚀性气体的场所。
e) 请在产品的额定值范围内使用,一旦超出额定值,可能损坏产品。
f) 万一发生意想不到的事故而损坏元件,请务必在电源和模块之间安装保险丝或者自动断路器,防止次生性破坏。
g) 请在功率周期寿命内使用本品。