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深圳市广辉电子有限公司
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产品信息
BDT64C 电 特 性 - 参 数
名称: BDT64C
材料: Si
结构: pnp
耗散功率 (Pc): 125W
集电极 -- 基极击穿电压 (Ucb): 120V
集电极 -- 发射极击穿电压 (Uce): 120V
发射极 -- 基极击穿电压 (Ueb): -
集电极电流 (Ic max): 12A
结温 (Tj): 150°C
特征频率 (ft): 20MHz
集电极电容 (Cc), Pf: -
直流电流增益 (hFE), min/max: 2000T
制造商: ST
封装: TO-220
