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深圳市广辉电子有限公司
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产品信息
1K/2K/2K/4K/16 位Microwire 串行EEPROM——
CAT93C46/56/57/66/86
特性
高速操作：
—93C56/57/66：1MHz
—93C46/86：3MHz
低功耗CMOS工艺
工作电压范围：1.8V～6.0V
存储器可选择×8位或者×16位结构
写入时自动清除存储器内容
硬件和软件写保护
上电误写保护
1,000,000 个编程/擦除周期
100年数据保存寿命
商业级、工业级和汽车级温度范围
连续读操作（除CAT93C46以外）
编程使能(PE)管脚（CAT93C86）
可采用新的无铅封装
描述
CAT93C46/56/57/66/86 是1K/2K/2K/4K/16K位的串行EEPROM存储器器件，它们可配置为16位(ORG
管脚接Vcc)或者8位(ORG管脚接GND)的寄存器。每个寄存器都可通过DI（或DO管脚）串行写入（或读出）。
CAT93C46/56/57/66/86采用Catalyst公司先进的CMOS EEPROM浮动闸（floating gate）技术制造而成。器件
可经受1,000,000次的编程/擦除操作，片内数据保存寿命高达100年。器件可采用8脚DIP，8脚SOIC或8脚
TSSOP的封装形式
CAT93C46/56/57/66/86
特性
高速操作：
—93C56/57/66：1MHz
—93C46/86：3MHz
低功耗CMOS工艺
工作电压范围：1.8V～6.0V
存储器可选择×8位或者×16位结构
写入时自动清除存储器内容
硬件和软件写保护
上电误写保护
1,000,000 个编程/擦除周期
100年数据保存寿命
商业级、工业级和汽车级温度范围
连续读操作（除CAT93C46以外）
编程使能(PE)管脚（CAT93C86）
可采用新的无铅封装
描述
CAT93C46/56/57/66/86 是1K/2K/2K/4K/16K位的串行EEPROM存储器器件，它们可配置为16位(ORG
管脚接Vcc)或者8位(ORG管脚接GND)的寄存器。每个寄存器都可通过DI（或DO管脚）串行写入（或读出）。
CAT93C46/56/57/66/86采用Catalyst公司先进的CMOS EEPROM浮动闸（floating gate）技术制造而成。器件
可经受1,000,000次的编程/擦除操作，片内数据保存寿命高达100年。器件可采用8脚DIP，8脚SOIC或8脚
TSSOP的封装形式