深圳市广辉电子有限公司

DRT803/111B 变比 1:1:1 抗电强度6.0KV 兵字IGBT驱动变压器

DRT系列IGBT驱动变压器系我公司为驱动IGBT和MOSFET而专门研制的产品，以非晶合金和纳米晶合金作为磁芯，可满足多项应用要求。

    一．产品特点：

    ① 耦合电容低，使之具有很高的抗干扰能力；

    ② 漏感小，保证了更好的输出脉冲波形；

    ③ 无开关延时、瞬时传输功率高；

    ④ 抗电强度高，安全可靠；

    ⑤ 全封闭，机械和耐环境性能好；

    ⑥ 体积小巧，结构紧凑，外形美观，针脚穿孔式安装，使用方便。

    二．使用条件：

    ① 环境温度：-40℃~+85℃

    ② 相对湿度：温度为40℃时不大于90%

    ③ 大气压力：860~1060mbar（约为650~800mmHg）

    三．绝缘耐热等级：F级（155℃）

    四．安全特性：

    ① 绝缘电阻：常态时大于1000MΩ

    ② 阻燃性：符合UL94-V₀级

    五．各参数意义及外形图、安装尺寸、线圈图和主要技术参数（典型值）

    ① 各参数的意义：

    u—变比=Ⅰ:Ⅱ:Ⅲ。

    V_P—各绕组之间施加的抗电强度试验电压之有效值，持续时间60s。

    ∫udt—额定伏微秒积≈V₁·t_n（在一定频率范围内其值基本不变）。

    V₁—输入脉冲幅度（初级脉冲电压）。

    t_n—在相应的V₁和F_P下驱动变压器的额定传输脉宽。

    V₂—输出脉冲幅度（次级脉冲幅度）。

    R_L—IGBT模块或MOSFET控制级等效电阻。

    L_P—线圈初级电感量  f=1000Hz  V=0.3V

    L_S—漏感（将次级绕组短路后测量）f=1000Hz  V=1V

    C_K—分布电容   f=1000Hz  V=1V

    ② 外形图、安装尺寸、线圈图及主要技术参数

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