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深圳市广辉电子有限公司
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产品信息
描述：
4A、600V N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管SVF4N60D/F/T/M采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。
封装形式：
TO-251-3L；TO-251D-3L；TO-252-2L；TO-220-3L；TO-220F-3L
特点：
∗ 4A，600V，RDS(on)（典型值）=2.0Ω@VGS=10V
∗ 低栅极电荷量
∗ 低反向传输电容
∗ 开关速度快
∗ 提升了dv/dt 能力
主要极限参数(除非特殊说明，TC=25°C)：
漏源电压VDS：600V
栅源电压VGS：±30V
漏极电流ID(TC=25°C/100°C)：4.0A/2.5A
漏极脉冲电流IDM：16A