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深圳市广辉电子有限公司
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产品信息
MOSFETS
N沟道、P沟道和互补MOSFET
安森美半导体提供N沟道和P沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),用于电源转换和开关电路
产品说明:
描 述 : |
MOSFET PWR N-CH DL 6A 20V 8SOIC |
标准包装 : | 2500 |
系列 : | DUAL N-CH MOS |
FET 型 : | 2 个 N 沟道(双) |
FET 特点 : | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) : |
20V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : | 3.92A |
开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C : |
35 毫欧 @ 6A, 4.5V |
Id 时的 Vgs(th)() : |
1.2V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs : |
20nC @ 4.5V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : |
1100pF @ 16V |
功率 - : |
730mW |
安装类型 : |
表面贴装 |
封装/外壳 : |
8-SOIC(0.154", 3.90mm 宽) |
供应商设备封装 : |
8-SOICN |
包装 : |
剪切带 (CT) |
特性:
Ultra Low RDS(on)
Higher Efficiency Extending Battery Life
Logic Level Gate Drive
Miniature Dual SO-8 Surface Mount Package
Diode Exhibits High Speed, Soft Recovery
Avalanche Energy Specified
SO-8 Mounting Information Provided
Pb-Free Package is Available
应用:
DC-DC Converters
Low Voltage Motor Control
Power Management in Portable and Battery-Powered Products, i.e.: Computers, Printers, Cellular and Cordless Telephones and PCMCIA Cards