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深圳市广辉电子有限公司
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产品信息
MOSFET, Power; N-Channel; 250 V; 30 V; 37 A (Continuous); 2.02 W
High speed switching
Low on-resistance
No secondary breadown
Low driving power
Avalanche-proo
F-I Series = Low RDS(ON)
F-II Series = VGS ±30 V, Reduced Turn Off Time
FAP-II Series = High Avalanche Ruggedness
FAP-III = Logic Level, High Avalanche Ruggedness
FAP-IIS = VGS ±35 V, VGS(th) 4.0 ±0.5 V
FAP-IIA = Reduced Turn Off Time
FAP-IIIBH = High Speed Non Logic
FAP-IIIB = Logic Level, VGS(th) 1.5 ±0.5 V
FAP-G = Ultra Fast Switchin